Cristaux GSGG


  • Composition:(Gd2.6Ca0.4)(Ga4.1Mg0.25Zr0.65)O12
  • Structure en cristal:Cubique : a =12.480 Å
  • Constante wdiélectrique moléculaire :968 096
  • Point de fusion :~1730 oC
  • Densité:~ 7,09 g/cm3
  • Dureté:~ 7,5 (mois)
  • Indice de réfraction :1,95
  • Constante diélectrique: 30
  • Détail du produit

    paramètres techniques

    Les grenats GGG/SGGG/NGG sont utilisés pour l'épitaxie liquide. Les subatrates SGGG sont des substrats dédiés au film magnéto-optique. Dans les dispositifs de communication optique, nécessitent beaucoup d'utilisation d'isolateurs optiques 1.3u et 1.5u, son composant principal est YIG ou BIG film été placé dans un champ magnétique.
    Le substrat SGGG est excellent pour la croissance de films épitaxiaux de grenat de fer substitué par du bismuth, est un bon matériau pour YIG, BiYIG, GdBIG.
    C'est de bonnes propriétés physiques et mécaniques et une stabilité chimique.
    Applications:
    YIG, film d'épitaxie BIG ;
    Appareils à micro-ondes ;
    Remplaçant GGG

    Propriétés:

    Composition (Gd2.6Ca0.4)(Ga4.1Mg0.25Zr0.65)O12
    Structure en cristal Cubique : a =12.480 Å ,
    Constante wdiélectrique moléculaire 968 096
    Point de fusion ~1730 oC
    Densité ~ 7,09 g/cm3
    Dureté ~ 7,5 (mois)
    Indice de réfraction 1,95
    Constante diélectrique 30
    Tangente de perte diélectrique (10 GHz) Californie.3.0 * 10_4
    Méthode de croissance cristalline Czochralski
    Direction de la croissance des cristaux <111>

    Paramètres techniques:

    Orientation <111> <100> dans ±15 minutes d'arc
    Distorsion du front d'onde <1/4 d'onde@632
    Tolérance de diamètre ±0.05mm
    Tolérance de longueur ±0.2mm
    Chanfreiner 0.10mm@45º
    Platitude <1/10 onde à 633nm
    Parallélisme < 30 secondes d'arc
    Perpendicularité < 15 minutes d'arc
    Qualité de surface 10/5 Gratter/Creuser
    Ouverture claire >90 %
    Grandes dimensions des cristaux 2,8-76 mm de diamètre