Cristaux GSGG

Les grenats GGG/SGGG/NGG sont utilisés pour l'épitaxie liquide. Les substrats SGGG sont des substrats dédiés pour les films magnéto-optiques. Dans les dispositifs de communication optique, nécessitent beaucoup d'utilisation d'isolateurs optiques 1,3u et 1,5u, son composant principal est un film YIG ou BIG. été placé dans un champ magnétique.


  • Composition:(Gd2.6Ca0.4)(Ga4.1Mg0.25Zr0.65)O12
  • Structure en cristal:Cubique : a =12,480 Å
  • Constante diélectrique moléculaire :968 096
  • Point de fusion :~1730 °C
  • Densité:~ 7,09 g/cm3
  • Dureté:~ 7,5 (mois)
  • Indice de réfraction :1,95
  • Constante diélectrique: 30
  • Détail du produit

    paramètres techniques

    Les grenats GGG/SGGG/NGG sont utilisés pour l'épitaxie liquide. Les substrats SGGG sont des substrats dédiés pour les films magnéto-optiques. Dans les dispositifs de communication optique, nécessitent beaucoup d'utilisation d'isolateurs optiques 1,3u et 1,5u, son composant principal est un film YIG ou BIG. été placé dans un champ magnétique.
    Le substrat SGGG est excellent pour la culture de films épitaxiaux de grenat de fer substitué par le bismuth et constitue un bon matériau pour YIG, BiYIG, GdBIG.
    Ce sont de bonnes propriétés physiques et mécaniques et une stabilité chimique.
    Applications:
    YIG, GRAND film d'épitaxie ;
    Appareils à micro-ondes ;
    Remplacer GGG

    Propriétés:

    Composition (Gd2.6Ca0.4)(Ga4.1Mg0.25Zr0.65)O12
    Structure en cristal Cubique : a =12,480 Å ,
    Constante diélectrique moléculaire 968 096
    Point de fusion ~1730 °C
    Densité ~ 7,09 g/cm3
    Dureté ~ 7,5 (mois)
    Indice de réfraction 1,95
    Constante diélectrique 30
    Tangente de perte diélectrique (10 GHz) Californie.3,0 * 10_4
    Méthode de croissance cristalline Czochralski
    Direction de la croissance des cristaux <111>

    Paramètres techniques:

    Orientation <111> <100> dans ±15 minutes d'arc
    Distorsion du front d'onde <1/4 vague@632
    Tolérance de diamètre ±0,05 mm
    Tolérance de longueur ±0,2 mm
    Chanfreiner 0,10 mm à 45 º
    Platitude <1/10 d'onde à 633 nm
    Parallélisme < 30 secondes d'arc
    Perpendicularité < 15 minutes d'arc
    Qualité de surface 10/5 Gratter/Creuser
    Ouverture claire >90%
    Grandes dimensions de cristaux 2,8 à 76 mm de diamètre