Cristal de ZnTe

Les cristaux semi-conducteurs térahertz GaSe et ZnTe présentent un seuil de dommage laser élevé et génèrent des impulsions THz extrêmement courtes et de haute qualité à l'aide de lasers femtosecondes haute puissance.


  • Prix ​​FOB :0,5 à 9 999 $ US / pièce
  • Min. Quantité de commande:100 pièces/pièces
  • Capacité d'approvisionnement:10000 pièces/pièces par mois
  • Formule structurée :ZnTe
  • Densité :5,633g/cm³
  • Axe cristallin :110
  • Détail du produit

    Paramètres techniques

    Cristaux semi-conducteurs THz : les cristaux de ZnTe (Tellurure de zinc) avec une orientation <110> sont utilisés pour la génération de THz par processus de rectification optique.La rectification optique est une génération de fréquences différentielles dans des milieux présentant une grande susceptibilité du second ordre.Pour les impulsions laser femtoseconde qui ont une large bande passante, les composantes de fréquence interagissent les unes avec les autres et leur différence produit une bande passante allant de 0 à plusieurs THz.La détection de l'impulsion THz se produit via une détection électro-optique en espace libre dans un autre cristal de ZnTe orienté <110>.L'impulsion THz et l'impulsion visible se propagent de manière colinéaire à travers le cristal de ZnTe.L'impulsion THz induit une biréfringence dans le cristal de ZnTe qui est lue par une impulsion visible polarisée linéairement.Lorsque l'impulsion visible et l'impulsion THz sont dans le cristal en même temps, la polarisation visible sera tournée par l'impulsion THz.En utilisant une lame d'onde λ/4 et un polariseur à séparation de faisceau ainsi qu'un ensemble de photodiodes équilibrées, il est possible de cartographier l'amplitude de l'impulsion THz en surveillant la rotation de polarisation de l'impulsion visible après le cristal de ZnTe à divers temps de retard par rapport à l'impulsion THz.La capacité de lire l’intégralité du champ électrique, à la fois en amplitude et en retard, est l’une des caractéristiques attrayantes de la spectroscopie THz dans le domaine temporel.Les ZnTe sont également utilisés pour les substrats de composants optiques IR et les dépôts sous vide.

    Propriétés de base
    Formule structurée ZnTe
    Paramètres de réseau a=6,1034
    Densité 110